導讀： 由于有周恩來主持制定的科學規(guī)劃，新中國的集成電路產業(yè)起步和發(fā)展，在帝國主義的封鎖下開了個好頭，經過20余年的辛勤奮斗，盡管與世界發(fā)達水平還有一定距離，但也是碩果累累。截至70年代末，中國科研人員和產業(yè)工人發(fā)揚自力更生、自強不息的精神，建成了中國自己的半導體工業(yè)，基本掌握了從單晶制備、設備制造、集成電路制造的全過程技術。在當時，只有美國、蘇聯掌握從單晶制備、設備制造、集成電路制造的全過程技術，雖然日本技術很強，但個別領域被美國限制和閹割。而此時，韓國、臺灣才剛剛起步。正是在自力更生、艱苦奮斗的精神和公有制體

新中國建國后的第一個三十年，我國計算機和集成電路事業(yè)在自主趕超路線的主導和公有制科研、生產體系的統(tǒng)籌下，從無到有，初步建立起了獨立完整的產業(yè)體系，不斷縮小與日本、美國的差距，比韓國起步早，發(fā)展快，對今天的芯片產業(yè)自主研發(fā)仍有重要的啟示。

對鋼鐵技術產業(yè)、電子信息技術產業(yè)都做過專門研究的老一代革命家馬賓（原鞍鋼總經理、總工程師，改革開放后歷任冶金工業(yè)部副部長、國家進出口委員會副主任、國務院經濟研究中心副總干事等）早在90年代初指出，“如果說集成電路是電子信息產業(yè)的核心，那么繼承電路生產的支撐產業(yè)就是電子信息工業(yè)的基礎?！薄癐C產品的競爭，實際上是制造設備的競爭”，從65-78年，“產業(yè)內各行業(yè)是同步發(fā)展的，并已建立了較完整的設備、儀器、材料、科研、生產的體系”。

1、科研和生產布局：集中攻關，遍地開花

科研和生產配置方面，早在建國初期，1950年抗美援朝戰(zhàn)爭爆發(fā)后，為解決軍隊電子通信問題，國家成立電信工業(yè)管理局，在北京酒仙橋籌建北京電子管廠（京東方前身），由民主德國（東德）提供技術援助。酒仙橋還建起了規(guī)模龐大的北京電機總廠、華北無線電器材聯合廠（下轄706、707、718、751、797、798廠）、北京有線電廠（738廠）、華北光電技術研究所等單位。在1952年，中國便成立了電子計算機科研小組，由當時的數學研究所所長華羅庚負責。

1956年，中國提出“向科學進軍”，國家制訂了發(fā)展各門尖端科學的“十二年科學技術發(fā)展遠景規(guī)劃”，把計算機列為發(fā)展科學技術的重點之一，并籌建了中國第一個計算技術研究所。根據國外發(fā)展電子器件的進程，提出了中國也要研究發(fā)展半導體科學，把半導體技術列為國家四大緊急措施之一。從半導體材料開始，自力更生研究半導體器件。為了落實發(fā)展半導體規(guī)劃，中國科學院應用物理所首先舉行了半導體器件短期訓練班。請回國的半導體專家內昆、吳錫九、黃敞、林蘭英、王守武、成眾志等講授半導體理論、晶體管制技術和半導體線路。參加短訓班的約100多人。

當時國家決定由五所大學-北京大學、復旦大學、吉林大學、廈門大學和南京大學聯合在北京大學半導體物理專來，共同培養(yǎng)第一批半導體人才。五校中最出名的教授有北京大學的黃昆、復旦大學的謝希德和吉林大學的高鼎三。1957年就有一批畢業(yè)生，其中有現在成為中國科學院院士的王陽元（北京大學）、工程院院士的許居衍（華晶集團公司）和電子工業(yè)部總工程師俞忠鈺等人。之后，清華大學等一批工科大學也先后設置了半導體專業(yè)，培養(yǎng)了大批專業(yè)人才。

1958年，上海組建華東計算技術研究所，及上海元件五廠、上海電子管廠、上海無線電十四廠等企業(yè)。使上海和北京，成為中國電子工業(yè)的南北兩大基地。1960年，中國科學院在北京成立半導體研究所，集中了王守武博士、黃昆博士、林蘭英博士等著名海外歸國專家。同年組建河北半導體研究所（后為中電集團第13所），進行工業(yè)技術攻關。

到六十年代初，中國半導體器件開始在工廠生產。此時，國內搞半導體器件的已有十幾個廠點。當時北方以北京電子管廠為代表，生產了II-6低頻合金管和II401高頻合金擴散管；南方以上海元件五廠為代表。

1961年我國第一個集成電路研制課題組成立。1962年由中科院半導體所，組建全國半導體測試中心。1963年中央政府組建第四機械工業(yè)部，主管全國電子工業(yè)（1982年改組為電子工業(yè)部），由通信專家王諍中將任部長。1968年，我國組建國營東光電工廠（878廠）、上海無線電十九廠，至1970年建成投產，形成中國IC產業(yè)中的“兩霸”。

中國早期電子工業(yè)，主要以軍事項目為牽引，研制軍用航空電子設備、彈道導彈控制設備、核武器配套電子設備、軍用雷達、軍用通訊器材、軍用電子計算機等產品。1958年開始研制東方紅衛(wèi)星后，又將防輻射級太空電路列入研究項目。民用電子產品以收音機為主。70年代初，受國內外微電子業(yè)迅速發(fā)展的影響，加上集成電路的利潤豐厚，國內出現一股電子熱潮，全國建設了四十多家集成電路工廠，包括四機部下屬的749廠（甘肅天水永紅器材廠）、871廠（甘肅天水天光集成電路廠）、878廠（北京東光電工廠）、4433廠（貴州都勻風光電工廠）和4435廠（湖南長沙韶光電工廠）等，各省市另外投資建設了大批電子企業(yè)，為以后進行大規(guī)模集成電路的研究和生產提供了工業(yè)基礎。

2、科研和生產成果：自力更生，逐漸縮小同國外差距

在科研和生產成果上，前三十年我國整體上緊跟世界相關領域的先進成就，不斷縮小同發(fā)達國家的距離，下面是幾個具有標志性的成果比較：

1957年，北京電子管廠通過還原氧化鍺，拉出了鍺單晶。中國科學院應用物理研究所和二機部十局第十一所開發(fā)鍺晶體管。當年，中國相繼研制出鍺點接觸二極管和三極管（即晶體管）。國外最早是在1947年，美國貝爾實驗室發(fā)明了半導體點接觸式晶體管。中外差距：10年。

1963年（一說1962年），河北省半導體研究所制成硅平面型晶體管。平面工藝技術是半導體元件制作中的一個關鍵環(huán)節(jié)，是制作集成電路的基礎。國外最早是在1958年，由仙童半導體公司 (Fairchild Semiconductor，也譯作“飛兆公司”)首先發(fā)展出平面工藝技術。中外差距：5年。

1962年，為解決晶體管制造難題，中國人民解放軍軍事工程學院四系四○四教研室康鵬（25歲）臨危受命，成功研發(fā)“隔離-阻塞振蕩器”（后被命名為康鵬電路），解決了晶體管的穩(wěn)定性問題，使中國比美國晚近8年進入晶體管時代。

在解決晶體管制造難題后，哈軍工（由慈云桂主持設計）成功研制出新中國第一臺全晶體管計算機441B-I于1964年誕生，比美國第一臺全晶體管計算機RCA501只晚了6年。441B計算機1966年參加北京的計算機展覽，恰逢邢臺大地震，在地震中穩(wěn)定運行。

1964年，吳幾康成功研制119計算機，該計算機運算能力為每秒5萬次，運算能力略強于美國于1958年制造的IBM 709計算機，IBM 709計算機的運算能力為每秒4.2萬次。119計算機同1965年研制成功的109機，在我國研制氫彈的歷程中立下很大功勞，被稱為“功勛機”。

119計算機

1965年12月，河北半導體研究所召開鑒定會，鑒定了第一批半導體管，并在國內首先鑒定了DTL型（二極管―晶體管邏輯）數字邏輯電路。1966年底，在工廠范圍內上海元件五廠鑒定了TTL（晶體管-晶體管邏輯）電路產品。DTL和TTL都是雙極型數字集成電路，它們的研制成功標志著中國已經制成了自己的小規(guī)模集成電路。國外最早：1958年-1959年，美國德州儀器公司和仙童公司各自研制發(fā)明了半導體集成電路，1960年仙童半導體研發(fā)了第一塊商用集成電路。中外差距：5-7年。

有了初級規(guī)模的集成電路，就有了制造第三代計算機（中、小規(guī)模集成電路）的基礎。中國第一臺第三代計算機是由位于北京的華北計算技術研究所研制成功的，采用DTL型數字電路，與非門是由北京電子管廠生產，與非驅動器是由河北半導體研究所生產，展出年代是1968年。國外最早是在1961年，德州儀器為美國空軍研發(fā)出第一個基于集成電路的計算機，即所謂的“分子電子計算機”。中外差距：7年。

與雙極型電路相比，MOS（金屬氧化物）電路具有電路簡單、功耗低、集成度高的優(yōu)勢。 1968年，上海無線電十四廠首家制成PMOS（P型金屬氧化物半導體）電路，拉開了我國發(fā)展MOS電路的序幕，并在七十年代初，永川半導體研究所（現電子第24所）、上無十四廠和北京878廠相繼研制成功NMOS電路，之后又研制成CMOS電路（互補型MOS電路）。國外最早：1960年，美國無線電（RCA）制造出金屬氧化物半導體晶體管。1962年，美國無線電（RCA）制造了一個實驗性的MOS集成電路器件。1963年，仙童實驗室研制成CMOS電路。中外差距：6-7年。

1972年，我國自主研制的大規(guī)模集成電路在四川永川半導體研究所誕生，實現了從中小集成電路發(fā)展到大規(guī)模集成電路的跨越。國外：1971年，Intel（英特爾）推出1kb動態(tài)隨機存儲器（DRAM），包含2000多只晶體管，標志著大規(guī)模集成電路出現。中外差距：1年。

1975年，北京大學物理系半導體研究小組，由王陽元等人，設計出我國第一批三種類型的（硅柵NMOS、硅柵PMOS、鋁柵NMOS）1K DRAM動態(tài)隨機存儲器，它比美國英特爾公司研制的C1103要晚五年，但是比韓國、臺灣要早四五年。此時，臺灣才剛剛在向美國購買3英寸晶圓廠。

北京大學校史陳列館展示的相關器件

1975年，上海無線電十四廠成功開發(fā)出當時屬國內最高水平的1024位移位存儲器，集成度達8820個元器件，達到國外同期水平。到上世紀70年代末，我國又陸續(xù)研制出256和1024位ECL高速隨機存儲器，后者達到國際同期的先進水平；可以生產NMOS256位和4096位、PMOS1024位隨機存儲器；掌握了對于大規(guī)模集成電路制造起著重要作用的無顯影光刻技術，可用于制造分子束外延設備。

總體來看，在這個時期，雖然美國計算機發(fā)展迅猛，但中國同行追得也很快，從無到有，差距逐漸縮小，甚至在某些局部領域追平西方，達到先進水平。中科院上海冶金所還獨立發(fā)展了制造集成電路所需要的離子注入機，并出口到日本。

截至70年代末，中國科研人員和產業(yè)工人發(fā)揚自力更生、自強不息的精神，建成了中國自己的半導體工業(yè)，基本掌握了從單晶制備、設備制造、集成電路制造的全過程技術。在當時，只有美國、蘇聯掌握從單晶制備、設備制造、集成電路制造的全過程技術，雖然日本技術很強，但個別領域被美國限制和閹割。而此時，韓國、臺灣才剛剛起步。

3、前三十年集成電路事業(yè)迅速趕超發(fā)展的經驗

總結新中國前三十年集成電路事業(yè)的趕超發(fā)展，有幾點經驗值得今天學習（專業(yè)研究產業(yè)問題的學者鐵流對此有很好的總結，筆者也頗為認同，以下部分參考了其文中的一些觀點或論述）：

一是堅持自主研發(fā)的趕超路線。

貫穿前三十年技術進步的是自力更生，艱苦奮斗的精神。50年代，即使我國已經引進了蘇聯的技術資料，依舊保留自己的技術研發(fā)團隊，例如夏培肅于1954年即著手基本邏輯電路的設計、試驗和運算器、控制器的邏輯設計，這為我國同蘇聯交惡后自主研制計算機打下了堅實的基礎。此后，中國的科研工作人員在沒有外援的情況下，自力更生，完成了一個又一個技術攻關。從有國外留學經驗的老科學家，到共和國自己培養(yǎng)的年輕科研人員，都發(fā)揮了極大創(chuàng)造力，例如前述25歲就研發(fā)出“隔離-阻塞振蕩器”，解決重大技術難題的康鵬。

這一時期，中國也抓住有利時機從國外引進先進技術設備。進行充分消化吸收。但無論是50年代末引進蘇聯技術資料，還是70年代通過特殊渠道少量購買歐美先進設備，走的是都“消化吸收、融會貫通、推陳出新、舉一反三”的路線，技術引進不僅沒對自主技術造成沖擊，反而使其融入自己的工業(yè)體系中，使中國自主技術更上一層樓。

70年代，通過購買國外單臺設備，我國自己組建了三條生產線，以緩解國內制造計算機的迫切需要。1972年美國總統(tǒng)尼克松訪華后，中國開始從歐美引進技術。對于當時屬于高科技領域的半導體產業(yè)，中國雖然始終無法從官方途徑大規(guī)模引進半導體設備和技術資料，但也通過特殊渠道少量購買單機設備，并將其消化吸收后，大量仿制，推陳出新，搭建了自己的生產線。

在此期間，西方有意遏制中國尖端技術的發(fā)展勢頭，1973年我國7個單位分別從國外引進單臺設備，以期建成七條3英寸工藝線，但由于歐美技術封鎖等各種因素，最終拖了7年才引進，引進時已經落后于國際先進水平。這也說明不論什么時候，什么條件下，堅持自主創(chuàng)新為主始終是第一位的。

二是重視科研投入和科研人才培養(yǎng)。

新中國前三十年的社會主義建設時期，我國依靠“高積累、低消費”的方式集中大量資源用于國家工農業(yè)基礎設施的建設和國防技術研發(fā)，一代人吃兩代人的苦，將一個落后的農業(yè)國建設成為擁有核武器的世界第六大工業(yè)國，計算機、集成電路這樣的高科技產業(yè)也從無到有，發(fā)展壯大。

在此期間，雖然國家財政并不富余，但中國用于科技研發(fā)的經費占國民生產總值的平均比例為1.28%，達到當時幾個初等發(fā)達國家的平均水平（如意大利、西班牙）；到70年代末，隨著經濟實力的提升該比值提升到2.32%，做到了竭盡所能為科研工作保障資金。這一投入遠遠超越改革開放后的水平（80年代中期以后一度降到0.6%以下），達到同期幾個最發(fā)達國家英、法、西德的水平，僅比當時的美國、日本低一些（美國長期為2.8-3.0%，日本70年代以前1.6%，進入70年代后與美國接近）。

在人才方面，我國一方面積極吸引在海外留學、工作的技術人才回國效力；另一方面積極培育自己的人才，在開設短期速成班的同時，在院校開設計算機專業(yè)，培育專業(yè)技術人才，并送優(yōu)秀尖子赴蘇聯深造。高水平的科研經費比例，保證了即便在困難時期和政治動蕩的年份，也能盡可能的為科研人員提供基本的生活、工作條件。

三是全國統(tǒng)籌協(xié)作的研發(fā)模式。

從前述列舉的重大成就來看，當時的科研單位雖然分散在全國各地，但在重大問題的攻堅上卻是協(xié)同作戰(zhàn)和成功共享的。在全國統(tǒng)籌協(xié)作的舉國體制下，各個單位互幫互助，以集中全國科研力量攻堅克難的方式解決了科研道路一個個難題。國家還經常舉辦各種展覽會，方便各單位進行技術交流。

正是在自力更生、艱苦奮斗的精神和公有制體制的保障下，我國計算機和集成電路事業(yè)在前三十年取得了一個又一個成就。

4、新中國半導體及集成電路發(fā)展大事記：

1956年，中央提出了“向科學進軍”的口號。周恩來隨后主持制定了“十二年科學技術發(fā)展遠景規(guī)劃”（以下簡稱“科學規(guī)劃”）。他有遠見地提出和確定了四項“緊急措施”，即大力發(fā)展計算機、無線電電子學、半導體、自動化，并將新技術應用于工業(yè)和國防。

1956年，在周總理的正確領導下，我國提出“向科學進軍”，根據國外發(fā)展電子器件的進程，提出了中國也要研究半導體科學，把半導體技術列為國家四大緊急措施之一。中國科學院應用物理所首先舉辦了半導體器件短期培訓班。請回國的半導體專家黃昆、吳錫九、黃敞、林蘭英、王守武、成眾志等講授半導體理論、晶體管制造技術和半導體線路。在五所大學――北京大學、復旦大學、吉林大學、廈門大學和南京大學聯合在北京大學開辦了半導體物理專業(yè)，共同培養(yǎng)第一批半導體人才。培養(yǎng)出了第一批著名的教授：北京大學的黃昆、復旦大學的謝希德、吉林大學的高鼎三。1957年畢業(yè)的第一批研究生中有中國科學院院士王陽元(北京大學微電子所所長)、工程院院士許居衍(華晶集團中央研究院院長)和電子工業(yè)部總工程師俞忠鈺(北方華虹設計公司董事長)。

1957年，北京電子管廠通過還原氧化鍺，拉出了鍺單晶。中國科學院應用物理研究所和二機部十局第十一所開發(fā)鍺晶體管。當年，中國相繼研制出鍺點接觸二極管和三極管(即晶體管)。

1958年，美國德州儀器公司和仙童公司各自研制發(fā)明了半導體集成電路(IC)之后，發(fā)展極為迅猛，從SSI(小規(guī)模集成電路)起步，經過MSI(中規(guī)模集成電路)，發(fā)展到LSI(大規(guī)模集成電路)，然后發(fā)展到現在的VLSI(超大規(guī)模集成電路)及最近的ULSI(特大規(guī)模集成電路)，甚至發(fā)展到將來的GSI(甚大規(guī)模集成電路)，屆時單片集成電路集成度將超過10億個元件。

1959年，天津拉制出硅(Si)單晶。

1960年，中科院在北京建立半導體研究所，同年在河北建立工業(yè)性專業(yè)化研究所――第十三所(河北半導體研究所)。

1962年，天津拉制出砷化鎵單晶(GaAs)，為研究制備其他化合物半導體打下了基礎。

1962年，我國研究制成硅外延工藝，并開始研究采用照相制版，光刻工藝。

1963年，河北省半導體研究所制成硅平面型晶體管。

1964年，河北省半導體研究所研制出硅外延平面型晶體管。

1965年12月，河北半導體研究所召開鑒定會，鑒定了第一批半導體管，并在國內首先鑒定了DTL型(二極管――晶體管邏輯)數字邏輯電路。1966年底，在工廠范圍內上海元件五廠鑒定了TTL電路產品。這些小規(guī)模雙極型數字集成電路主要以與非門為主，還有與非驅動器、與門、或非門、或門、以及與或非電路等。標志著中國已經制成了自己的小規(guī)模集成電路。

1968年，組建國營東光電工廠(878廠)、上海無線電十九廠，至1970年建成投產，形成中國IC產業(yè)中的“兩霸”。

1968年，國防科委在四川永川縣，成立固體電路研究所（即永川半導體研究所，解放軍1424研究所，現中電集團24所）。這是中國唯一的模擬集成電路研究所。同年上海無線電十四廠首家制成PMOS（P型金屬-氧化物半導體）電路。拉開了中國發(fā)展MOS集成電路的序幕。七十年代初，永川半導體研究所(現電子第24所)、上無十四廠和北京878廠相繼研制成功NMOS電路。之后，又研制成CMOS電路。

七十年代初，IC價高利厚，需求巨大，引起了全國建設IC生產企業(yè)的熱潮，共有四十多家集成電路工廠建成，四機部所屬廠有749廠(永紅器材廠)、871(天光集成電路廠)、878(東光電工廠)、4433廠(風光電工廠)和4435廠(韶光電工廠)等。各省市所建廠主要有：上海元件五廠、上無七廠、上無十四廠、上無十九廠、蘇州半導體廠、常州半導體廠、北京半導體器件二廠、三廠、五廠、六廠、天津半導體(一)廠、航天部西安691廠等等。

1972年，中國第一塊PMOS型LSI電路在四川永川半導體研究所研制成功。

1973年，我國7個單位分別從國外引進單臺設備，期望建成七條3英寸工藝線，最后只有北京878廠，航天部陜西驪山771所和貴州都勻4433廠。

1975年，北京大學物理系半導體研究小組，由王陽元等人，設計出我國第一批三種類型的（硅柵NMOS、硅柵PMOS、鋁柵NMOS）1K DRAM動態(tài)隨機存儲器，它比美國英特爾公司研制的C1103要晚五年，但是比韓國、臺灣要早四五年。那時韓國、臺灣根本就沒有電子工業(yè)科研基礎。

1975年，上海無線電十四廠成功開發(fā)出當時屬國內最高水平的1024位移位存儲器，集成度達8820個元器件，達到國外同期水平。

1976年11月，中國科學院計算所研制成功1000萬次大型電子計算機，所使用的電路為中國科學院109廠(現中科院微電子中心)研制的ECL型(發(fā)射極耦合邏輯)電路。

1978年10月，中國科學院成立半導體研究所，由王守武領導，研制4K DRAM，次年在中科院109廠投入批量生產（比美國晚六年）。

由于有周恩來主持制定的科學規(guī)劃，新中國的集成電路產業(yè)起步和發(fā)展，在帝國主義的封鎖下開了個好頭，經過20余年的辛勤奮斗，盡管與世界發(fā)達水平還有一定距離，但也是碩果累累。